NanoRun 2016, 1er forum international sur la microélectronique à l’échelle nano

NanoRun 2016 est le 1er forum international des Nanoscale Runners de l'IRT Saint Exupéry dédié aux défis posés par la course au déploiement de nanotechnologies pour la microélectronique dans les systèmes embarqués du spatial, de l'aéronautique, du transport terrestre, de l’énergie et de l’environnement, ou encore des télécommunications. Il se tiendra du 23 au 24 février dans les locaux de l’INP-Enseeiht[i] à Toulouse. Soutenue par Aerospace Valley, l’IRT Nanoélec et le LAAS-CNRS, l’édition 2016 est consacrée à la fiabilité des transistors de puissance GaN (nitrure de gallium) et des circuits électroniques silicium à forte intégration appelés DSM (deep submicron). Ils offriront à nos futurs smartphones, tablettes et systèmes numériques embarqués des capacités inégalées de traitement de données grâce à des puces silicium à la contenance vertigineuse de plus de 10 milliards de transistors chacune. Dans ces conditions, comment atteindre et garantir un objectif ‘’zéro défaut’’ pour des applications robustes dites de haute fiabilité et dont la durée de vie requise dépasse les dix ans ?

Les Nanoscale Runners sont ces acteurs bâtisseurs- industriels, fabricants, agences ou laboratoires - qui inventent ces nanotechnologies, les déploient et qui, au cœur de cette ère du numérique et des objets connectés, développent nos communications et nos activités ludiques. Ils chassent pourtant en terre inconnue les principes fondamentaux de la physique quantique. Cette course à la miniaturisation pose un sérieux défi aux industriels dans cette quête au-delà de la fameuse loi de Moore. Elle prédit qu’à chaque nouvelle génération de circuits intégrés nous assistons à un doublement du nombre de transistors tous les 18 mois. Les Nanoscale Runners défient les lois de la matière de ces nœuds technologiques qui désormais flirtent aux frontières nanométriques aussi ténues que la dizaine d’atomes organisés en file indienne.

Deux experts de renom international animeront les débats :

• Professeur Joseph Bernstein (Université d’Ariel, Israël), auteur de nombreux articles et ouvrages scientifiques qui ont fait date, est un expert reconnu internationalement dans le domaine de la fiabilité associée à ces nouveaux transistors GaN et DSM. Il a collaboré avec le CALCE de l’Université du Maryland aux USA (centre de recherche renommé sur la fiabilité des systèmes électroniques), la Nasa, l’US Air Force et l’US Navy pour développer un nouveau modèle de prédiction de la fiabilité des systèmes complexes en environnement opérationnel. Il est responsable du programme fiabilité sur les composants microélectroniques à l’Université d’Ariel en Israël.

• Dr Alex Lidow est PDG co-fondateur de EPC (Efficient Power Conversion, Los Angeles, USA), l’un des fabricants leader de transistors de puissance GaN commerciaux. Il est le co-inventeur de la technologie transistors de puissance HEXFET™ fournie par la société de renom International Rectifier, aujourd’hui Infineon, qui révolutionne le monde des semi-conducteurs depuis plus de 20 ans. Il est membre du conseil d’administration du célèbre institut technologique californien CalTech et vient tout juste de recevoir le prix ‘’SEMI Award North America’’ pour ses innovations technologiques au bénéfice de domaines en perpétuelle mutation que sont l’énergie et l’environnement.